單晶硅片：硅的單晶體，是一種具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。
結構
熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成三維空間長程有序的形式成為單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導體元件。硅結晶型的硅是暗黑藍色的，很脆，是典型的半導體。化學性質非常穩定。在常溫下，除氟化氫以外，很難與其他物質發生反應。
用途
單晶硅片主要用于制作半導體元件。
用途：是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等
現在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化最快的。
熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。
單晶硅片的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。
單晶硅棒是生產單晶硅片的原材料，隨著國內和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等系列產品，目前直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。
市場前景
近年來，中國單晶硅產量明顯穩步增長，增長的原因是一方面來自國際上對低檔和廉價硅材料需求的增加。另一方面是近年來中國裝備制造發展迅速，各類信息家電和通信產品需求旺盛，因此半導體器件和硅材料的市場需求量都很大。
2007年，中國市場上有各類硅單晶生長設備1500余臺，分布在70余家生產企業。2007年5月24日，國家“863”計劃超大規模集成電路（IC）配套材料重大專項總體組在北京組織專家對西安理工大學和北京有色金屬研究總院承擔的“TDR-150型單晶爐（12英寸MCZ綜合系統）”完成了驗收。這標志著擁有自主知識產權的大尺寸集成電路與太陽能用硅單晶生長設備，在我國首次研制成功。這項產品使中國能夠開發具有自主知識產權的關鍵制造技術與單晶爐生產設備，填補了國內空白，初步改變了在晶體生長設備領域研發制造受制于人的局面。
硅材料市場前景廣闊，中國硅單晶的產量、銷售收入近幾年遞增較快，以中小尺寸為主的硅片生產已成為國際公認的事實，為世界和中國集成電路、半導體分立器件和光伏太陽能電池產業的發展做出了較大的貢獻。
